TSM8N80CI C0G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM8N80CI C0G

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM8N80CI C0G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB

المخزون:

995 قطع جديدة أصلية في المخزون
12895728
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM8N80CI C0G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1921 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
TSM8N80

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
-2068-TSM8N80CIC0GDKR
-2068-TSM8N80CIC0G
TSM8N80CI C0G-DG
TSM8N80CIC0G
-2068-TSM8N80CIC0GDKR-DG
-2068-TSM8N80CIC0GDKRINACTIVE

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMP2066UFDE-7

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM60NB099PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

taiwan-semiconductor

TSM045NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM340N06CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251